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技術的な詳細

  • シリーズ:BIMOSFET™
  • パッケージ:Tube
  • 部品ステータス:Active
  • igbtタイプ:-
  • 電圧-コレクターエミッターの故障(最大):1700 V
  • 電流-コレクター(ic)(最大):42 A
  • 電流-コレクターパルス(icm):265 A
  • vce(on)(max)@ vge、ic:6V @ 15V, 21A
  • パワー-最大:357 W
  • スイッチングエネルギー:3.43mJ (on), 430µJ (off)

 

  • 入力方式:Standard
  • ゲートチャージ:188 nC
  • td(オン/オフ)@ 25°c:19ns/200ns
  • 試験条件:850V, 21A, 1Ohm, 15V
  • 逆回復時間(trr):330 ns
  • 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-268

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