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技術的な詳細

  • シリーズ:-
  • パッケージ:Bulk
  • 部品ステータス:Obsolete
  • 駆動構成:Low-Side
  • チャネルタイプ:Single
  • ドライバーの数:1
  • ゲートタイプ:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 電圧-供給:4.5V ~ 30V
  • 論理電圧-vil、vih:0.8V, 2.4V

 

  • 電流-ピーク出力(ソース、シンク):9A, 9A
  • 入力方式:Non-Inverting
  • ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ):-
  • 立ち上がり/立ち下がり時間(標準):25ns, 23ns
  • 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:6-VDFN Exposed Pad
  • サプライヤーデバイスパッケージ:6-DFN (4x5)

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