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技術的な詳細

  • シリーズ:-
  • パッケージ:Tube
  • 部品ステータス:Obsolete
  • 駆動構成:Low-Side
  • チャネルタイプ:Independent
  • ドライバーの数:2
  • ゲートタイプ:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 電圧-供給:4.5V ~ 35V
  • 論理電圧-vil、vih:0.8V, 2.5V

 

  • 電流-ピーク出力(ソース、シンク):4A, 4A
  • 入力方式:Inverting, Non-Inverting
  • ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ):-
  • 立ち上がり/立ち下がり時間(標準):16ns, 13ns
  • 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-PDIP

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