技術的な詳細

• シリーズ:-
• パッケージ:Tube
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:SiCFET (Silicon Carbide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:1700 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:90A (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:20V
• rds on（max）@ id、vgs:35mOhm @ 100A, 20V
• vgs（th）（max）@ id:4V @ 36mA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:376 nC @ 20 V
• vgs（最大）:+20V, -5V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:7340 pF @ 1000 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:-
• 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Chassis Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227B
• パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC