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技術的な詳細

  • シリーズ:-
  • パッケージ:Tube
  • 部品ステータス:Active
  • 駆動構成:Half-Bridge
  • チャネルタイプ:Independent
  • ドライバーの数:2
  • ゲートタイプ:IGBT, N-Channel MOSFET
  • 電圧-供給:10V ~ 20V
  • 論理電圧-vil、vih:1.1V, 1.9V

 

  • 電流-ピーク出力(ソース、シンク):290mA, 430mA
  • 入力方式:Inverting, Non-Inverting
  • ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ):600 V
  • 立ち上がり/立ち下がり時間(標準):75ns, 35ns
  • 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-SO

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