技術的な詳細

• シリーズ:-
• パッケージ:Tube
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:1700 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:5A (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:-
• rds on（max）@ id、vgs:-
• vgs（th）（max）@ id:-

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:-
• vgs（最大）:-
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:-
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:-
• 作動温度:175°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263-7
• パッケージ/ケース:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)