- 部品番号MIC4123YME
- ブランドRochester Electronics
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明DUAL 3A-PEAK LOW-SIDE MOSFET DRI
- カテゴリーpmic-ゲートドライバー
在庫あり: 33,607
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価格:
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技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Bulk
- 部品ステータス:Active
- 駆動構成:Low-Side
- チャネルタイプ:Independent
- ドライバーの数:2
- ゲートタイプ:N-Channel, P-Channel MOSFET
- 電圧-供給:4.5V ~ 20V
- 論理電圧-vil、vih:0.8V, 2.4V
- 電流-ピーク出力（ソース、シンク）:3A, 3A
- 入力方式:Inverting
- ハイサイド電圧-最大（ブートストラップ）:-
- 立ち上がり/立ち下がり時間（標準）:11ns, 11ns
- 作動温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
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