- 部品番号MJD3055TF
- ブランドRochester Electronics
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
- カテゴリートランジスタ-バイポーラ（bjt）-シングル
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価格:
- 1$0.28
- 2,000$0.26526
技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Bulk
- 部品ステータス:Active
- トランジスタタイプ:NPN
- 電流-コレクター（ic）（最大）:10 A
- 電圧-コレクターエミッターの故障（最大）:60 V
- vce飽和（最大）@ ib、ic:8V @ 3.3A, 10A
- 電流-コレクターカットオフ（最大）:50µA
- DC電流ゲイン（hfe）（min）@ ic、vce:20 @ 4A, 4V
- パワー-最大:1.75 W
- 周波数-遷移:2MHz
- 作動温度:150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- サプライヤーデバイスパッケージ:D-Pak
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