技術的な詳細

• シリーズ:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
• パッケージ:Tube
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:200 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:168A (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:10V
• rds on（max）@ id、vgs:8.3mOhm @ 60A, 10V
• vgs（th）（max）@ id:5V @ 8mA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:378 nC @ 10 V
• vgs（最大）:±20V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:28000 pF @ 25 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:600W (Tc)
• 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:24-SMPD
• パッケージ/ケース:24-PowerSMD, 21 Leads