技術的な詳細

• シリーズ:-
• パッケージ:Tube
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:SiCFET (Silicon Carbide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:700 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:37A (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:20V
• rds on（max）@ id、vgs:75mOhm @ 20A, 20V
• vgs（th）（max）@ id:2.4V @ 1mA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:56 nC @ 20 V
• vgs（最大）:+23V, -10V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:1175 pF @ 700 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:130W (Tc)
• 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:D3PAK
• パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA