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技術的な詳細

  • シリーズ:-
  • パッケージ:Tube
  • 部品ステータス:Obsolete
  • fetタイプ:N-Channel
  • 技術:SiCFET (Silicon Carbide)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):1.2 kV
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:-
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):-
  • rds on(max)@ id、vgs:-
  • vgs(th)(max)@ id:-

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:-
  • vgs(最大):-
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:-
  • fet機能:-
  • 消費電力(最大):-
  • 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • サプライヤーデバイスパッケージ:D3Pak
  • パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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