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  • 1$1035.31

技術的な詳細

  • シリーズ:-
  • パッケージ:Tube
  • 部品ステータス:Active
  • fetタイプ:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
  • fet機能:Silicon Carbide (SiC)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):1200V (1.2kV)
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:251A (Tc)
  • rds on(max)@ id、vgs:10.4mOhm @ 120A, 20V

 

  • vgs(th)(max)@ id:2.8V @ 3mA
  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:696nC @ 20V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:9060pF @ 1000V
  • パワー-最大:1.042kW (Tc)
  • 作動温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ:Chassis Mount
  • パッケージ/ケース:Module
  • サプライヤーデバイスパッケージ:SP6-P

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