- 部品番号MT3S111TU,LF
- ブランドToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
- カテゴリートランジスタ-バイポーラ（bjt）-rf
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価格:
- 1$0.58
技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- トランジスタタイプ:NPN
- 電圧-コレクターエミッターの故障（最大）:6V
- 周波数-遷移:10GHz
- 雑音指数（db typ @ f）:0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
- 利得:12.5dB
- パワー-最大:800mW
- DC電流ゲイン（hfe）（min）@ ic、vce:200 @ 30mA, 5V
- 電流-コレクター（ic）（最大）:100mA
- 作動温度:150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:3-SMD, Flat Lead
- サプライヤーデバイスパッケージ:UFM
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