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技術的な詳細

  • シリーズ:-
  • パッケージ:Tray
  • 部品ステータス:Obsolete
  • fetタイプ:P-Channel
  • 技術:MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):30 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:1.1A (Ta)
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):4.5V, 10V
  • rds on(max)@ id、vgs:200mOhm @ 1.3A, 10V
  • vgs(th)(max)@ id:2.5V @ 250µA

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:4.4 nC @ 5 V
  • vgs(最大):±20V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:280 pF @ 10 V
  • fet機能:-
  • 消費電力(最大):500mW (Ta)
  • 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-23-3
  • パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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