- 部品番号NTD5802NT4G
- ブランドRochester Electronics
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
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価格:
- 1$0.7
- 2,500$0.2957
- 5,000$0.28173
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技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Bulk
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:40 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:16.4A (Ta), 101A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:5V, 10V
- rds on（max）@ id、vgs:4.4mOhm @ 50A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:3.5V @ 250µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:100 nC @ 10 V
- vgs（最大）:±20V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:5.025 pF @ 25 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:DPAK
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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