技術的な詳細

• シリーズ:-
• パッケージ:Bag
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:25 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:50mA (Tj)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:-
• rds on（max）@ id、vgs:-
• vgs（th）（max）@ id:4V @ 20µA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:-
• vgs（最大）:-
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:3.3 pF @ 15 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:360mW (Ta), 1.2mW (Tc)
• 作動温度:-65°C ~ 175°C (TJ)
• 取付タイプ:Through Hole
• サプライヤーデバイスパッケージ:TO-72
• パッケージ/ケース:TO-206AF, TO-72-4 Metal Can