技術的な詳細

• シリーズ:-
• パッケージ:Bag
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:60 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:310mA (Ta)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:5V, 10V
• rds on（max）@ id、vgs:5Ohm @ 500mA, 10V
• vgs（th）（max）@ id:2.5V @ 1mA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:-
• vgs（最大）:+15V, -300mV
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:60 pF @ 25 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:1W (Ta)
• 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Through Hole
• サプライヤーデバイスパッケージ:TO-237
• パッケージ/ケース:TO-237AA