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技術的な詳細

  • シリーズ:-
  • パッケージ:Bulk
  • 部品ステータス:Obsolete
  • fetタイプ:P-Channel
  • 技術:MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):20 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:2.3A (Ta)
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):1.8V, 4.5V
  • rds on(max)@ id、vgs:100mOhm @ 2A, 4.5V
  • vgs(th)(max)@ id:1V @ 250µA

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:6.2 nC @ 4.5 V
  • vgs(最大):±8V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:531 pF @ 10 V
  • fet機能:Schottky Diode (Isolated)
  • 消費電力(最大):710mW (Ta)
  • 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • サプライヤーデバイスパッケージ:6-WDFN (2x2)
  • パッケージ/ケース:6-WDFN Exposed Pad

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