- 部品番号NTMFD4C85NT1G
- ブランドRochester Electronics
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-アレイ
在庫あり: 183,040
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価格:
- 1$2.14
- 1,500$2.14
技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Bulk
- 部品ステータス:Obsolete
- fetタイプ:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- fet機能:Standard
- ドレイン-ソース間電圧(vdss):30V
- 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:15.4A, 29.7A
- rds on(max)@ id、vgs:3mOhm @ 20A, 10V
- vgs(th)(max)@ id:2.1V @ 250µA
- ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:32nC @ 10V
- 入力容量(ciss)(max)@ vds:1960pF @ 15V
- パワー-最大:1.13W
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-DFN (5x6)
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