- 部品番号NVMD6N03R2G
- ブランドRochester Electronics
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明N-CHANNEL POWER MOSFET
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-アレイ
在庫あり: 4,915
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価格:
- 1$0.28
技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Bulk
- 部品ステータス:Obsolete
- fetタイプ:2 N-Channel (Dual)
- fet機能:Logic Level Gate
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:30V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:6A
- rds on（max）@ id、vgs:32mOhm @ 6A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:2.5V @ 250µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:30nC @ 10V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:950pF @ 24V
- パワー-最大:1.29W
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
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