- 部品番号NVMFD5485NLT1G
- ブランドRochester Electronics
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-アレイ
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価格:
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技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Bulk
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:2 N-Channel (Dual)
- fet機能:Logic Level Gate
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:60V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:5.3A
- rds on（max）@ id、vgs:44mOhm @ 15A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:2.5V @ 250µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:20nC @ 10V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:560pF @ 25V
- パワー-最大:2.9W
- 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
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