技術的な詳細

• シリーズ:TrenchMOS™
• パッケージ:Bulk
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:60 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:350mA (Ta)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:5V, 10V
• rds on（max）@ id、vgs:2.8Ohm @ 200mA, 10V
• vgs（th）（max）@ id:2.1V @ 250µA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:1 nC @ 10 V
• vgs（最大）:±20V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:23.6 pF @ 10 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:350mW (Ta), 3.1W (Tc)
• 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:DFN1006B-3
• パッケージ/ケース:3-XFDFN