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技術的な詳細

  • シリーズ:-
  • パッケージ:Tray
  • 部品ステータス:Active
  • ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
  • 電圧-DCリバース(vr)(最大):650 V
  • 現在-平均整流(io):40A
  • 電圧-順方向(vf)(最大)@ if:1.75 V @ 40 A
  • 速度:No Recovery Time > 500mA (Io)

 

  • 逆回復時間(trr):0 ns
  • 電流-逆リーク@vr:200 µA @ 650 V
  • 静電容量@ vr、f:1989pf @ 1V, 100kHz
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:Die
  • サプライヤーデバイスパッケージ:Die
  • 作動温度-ジャンクション:-55°C ~ 175°C

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