技術的な詳細

• シリーズ:UltraCMOS®
• パッケージ:Tray
• 部品ステータス:Obsolete
• rfタイプ:-
• トポロジー:Absorptive
• 回路:SPDT
• 周波数範囲:9kHz ~ 13.5GHz
• 隔離:26dB
• 挿入損失:1.74dB

• テスト頻度:13.5GHz
• p1db:33dBm
• iip3:56dBm
• 特徴:-
• インピーダンス:50Ohm
• 電圧-供給:3V ~ 3.6V
• 作動温度:-40°C ~ 85°C
• パッケージ/ケース:14-XFBGA, FCDSBGA
• サプライヤーデバイスパッケージ:14-FlipChip (1.1x2)