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技術的な詳細

  • シリーズ:-
  • パッケージ:Tube
  • 部品ステータス:Obsolete
  • 駆動構成:Half-Bridge
  • チャネルタイプ:Synchronous
  • ドライバーの数:2
  • ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
  • 電圧-供給:10.8V ~ 13.2V
  • 論理電圧-vil、vih:-

 

  • 電流-ピーク出力(ソース、シンク):1.25A, 2A
  • 入力方式:Non-Inverting
  • ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ):36 V
  • 立ち上がり/立ち下がり時間(標準):26ns, 18ns
  • 作動温度:0°C ~ 125°C (TJ)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:10-VFDFN Exposed Pad
  • サプライヤーデバイスパッケージ:10-DFN (3x3)

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