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技術的な詳細

  • シリーズ:TrenchMOS™
  • パッケージ:Bulk
  • 部品ステータス:Active
  • fetタイプ:N-Channel
  • 技術:MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):20 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:2.5A (Tc)
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):2.5V, 4.5V
  • rds on(max)@ id、vgs:85mOhm @ 3.6A, 4.5V
  • vgs(th)(max)@ id:650mV @ 1mA

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:10 nC @ 4.5 V
  • vgs(最大):±8V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:230 pF @ 10 V
  • fet機能:-
  • 消費電力(最大):830mW (Tc)
  • 作動温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-236AB (SOT23)
  • パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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