技術的な詳細

• シリーズ:SkyFET®, TrenchFET® Gen III
• パッケージ:Tape & Reel (TR)
• 部品ステータス:Obsolete
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:30 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:28.6A (Ta), 60A (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:4.5V, 10V
• rds on（max）@ id、vgs:3.4mOhm @ 20A, 10V
• vgs（th）（max）@ id:2.5V @ 250µA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:72 nC @ 10 V
• vgs（最大）:±20V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:2.52 nF @ 15 V
• fet機能:Schottky Diode (Body)
• 消費電力（最大）:5W (Ta), 48W (Tc)
• 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:PowerPAK® SO-8
• パッケージ/ケース:PowerPAK® SO-8