- 部品番号SI7960DP-T1-GE3
- ブランドVishay / Siliconix
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-アレイ
在庫あり: 3,650
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技術的な詳細
- シリーズ:TrenchFET®
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Obsolete
- fetタイプ:2 N-Channel (Dual)
- fet機能:Logic Level Gate
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:60V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:6.2A
- rds on（max）@ id、vgs:21mOhm @ 9.7A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:3V @ 250µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:75nC @ 10V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:-
- パワー-最大:1.4W
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:PowerPAK® SO-8 Dual
- サプライヤーデバイスパッケージ:PowerPAK® SO-8 Dual
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