- 部品番号SIA106DJ-T1-GE3
- ブランドVishay / Siliconix
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 1,697
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価格:
- 1$0.92
- 3,000$0.39038
- 6,000$0.36504
- 15,000$0.35237
- 30,000$0.34547
技術的な詳細
- シリーズ:TrenchFET® Gen IV
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:60 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:10A (Ta), 12A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:7.5V, 10V
- rds on（max）@ id、vgs:18.5mOhm @ 4A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:4V @ 250µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:13.5 nC @ 10 V
- vgs（最大）:±20V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:540 pF @ 30 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:3.5W (Ta), 19W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:PowerPAK® SC-70-6 Single
- パッケージ/ケース:PowerPAK® SC-70-6
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