- 部品番号SIHB12N60ET1-GE3
- ブランドVishay / Siliconix
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET N-CH 600V 12A TO263
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 790
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価格:
- 1$2.17
- 10$1.96777
- 100$1.59315
- 500$1.25284
- 1,000$1.04866
- 2,500$0.98061
- 5,000$0.94658
技術的な詳細
- シリーズ:E
- パッケージ:Bulk
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:600 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:12A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:10V
- rds on（max）@ id、vgs:380mOhm @ 6A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:4V @ 250µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:58 nC @ 10 V
- vgs（最大）:±30V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:937 pF @ 100 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:147W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263 (D²Pak)
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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