- 部品番号SIHJ7N65E-T1-GE3
- ブランドVishay / Siliconix
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 3,022
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価格:
- 1$2.69
- 3,000$1.36305
- 6,000$1.31575
技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:650 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:7.9A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:10V
- rds on（max）@ id、vgs:598mOhm @ 3.5A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:4V @ 250µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:44 nC @ 10 V
- vgs（最大）:±30V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:820 pF @ 100 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:96W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:PowerPAK® SO-8
- パッケージ/ケース:PowerPAK® SO-8
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