- 部品番号SIR616DP-T1-GE3
- ブランドVishay / Siliconix
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
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価格:
- 1$1.55
- 3,000$0.72532
- 6,000$0.69126
- 15,000$0.66693
技術的な詳細
- シリーズ:ThunderFET®
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧(vdss):200 V
- 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:20.2A (Tc)
- 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):7.5V, 10V
- rds on(max)@ id、vgs:50.5mOhm @ 10A, 10V
- vgs(th)(max)@ id:4V @ 250µA
- ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:28 nC @ 7.5 V
- vgs(最大):±20V
- 入力容量(ciss)(max)@ vds:1450 pF @ 100 V
- fet機能:-
- 消費電力(最大):52W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:PowerPAK® SO-8
- パッケージ/ケース:PowerPAK® SO-8
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