- 部品番号SISS08DN-T1-GE3
- ブランドVishay / Siliconix
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
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価格:
- 1$1.2
- 3,000$0.56473
- 6,000$0.53822
- 15,000$0.51928
技術的な詳細
- シリーズ:TrenchFET® Gen IV
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:25 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:4.5V, 10V
- rds on（max）@ id、vgs:1.23mOhm @ 15A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:2.2V @ 250µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:82 nC @ 10 V
- vgs（最大）:+20V, -16V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:3670 pF @ 12.5 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:5W (Ta), 65.7W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
- パッケージ/ケース:PowerPAK® 1212-8S
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