- 部品番号SPB11N60C3ATMA1
- ブランドIR (Infineon Technologies)
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 1,786
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価格:
- 1$3.33
- 1,000$1.82712
- 2,000$1.73577
- 5,000$1.67051
技術的な詳細
- シリーズ:CoolMOS™
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:650 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:11A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:10V
- rds on（max）@ id、vgs:380mOhm @ 7A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:3.9V @ 500µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:60 nC @ 10 V
- vgs（最大）:±20V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:1200 pF @ 25 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:125W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO263-3-2
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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