- 部品番号SSM6N58NU,LF
- ブランドToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-アレイ
在庫あり: 20,471
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価格:
- 1$0.48
- 3,000$0.12807
- 6,000$0.12031
- 15,000$0.11254
- 30,000$0.10866
技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:2 N-Channel (Dual)
- fet機能:Logic Level Gate, 1.8V Drive
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:30V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:4A
- rds on（max）@ id、vgs:84mOhm @ 2A, 4.5V
- vgs（th）（max）@ id:1V @ 1mA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:1.8nC @ 4.5V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:129pF @ 15V
- パワー-最大:1W
- 作動温度:150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:6-WDFN Exposed Pad
- サプライヤーデバイスパッケージ:6-UDFN (2x2)
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