- 部品番号SVD14N03RT4G
- ブランドRochester Electronics
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
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価格:
- 1$0.2
- 2,500$0.2
技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Bulk
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧(vdss):25 V
- 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:2.5A (Ta)
- 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):4.5V, 10V
- rds on(max)@ id、vgs:95mOhm @ 5A, 10V
- vgs(th)(max)@ id:2V @ 250µA
- ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:1.8 nC @ 5 V
- vgs(最大):±20V
- 入力容量(ciss)(max)@ vds:115 pF @ 20 V
- fet機能:-
- 消費電力(最大):1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:DPAK
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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