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技術的な詳細

  • シリーズ:*
  • パッケージ:Tray
  • 部品ステータス:Active
  • トランジスタタイプ:GaN HEMT
  • 周波数:30MHz ~ 4GHz
  • 利得:18dB
  • 電圧-テスト:32 V

 

  • 現在の定格(アンペア):700mA
  • 雑音指数:-
  • 現在-テスト:50 mA
  • 電力出力:12.5W
  • 電圧-定格:120 V
  • パッケージ/ケース:-
  • サプライヤーデバイスパッケージ:-

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