技術的な詳細

• シリーズ:DTMOSIV-H
• パッケージ:Tube
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:600 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:30.8A (Ta)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:10V
• rds on（max）@ id、vgs:88mOhm @ 9.4A, 10V
• vgs（th）（max）@ id:3.5V @ 1.5mA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:65 nC @ 10 V
• vgs（最大）:±30V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:3000 pF @ 300 V
• fet機能:Super Junction
• 消費電力（最大）:230W (Tc)
• 作動温度:150°C (TJ)
• 取付タイプ:Through Hole
• サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220
• パッケージ/ケース:TO-220-3