- 部品番号TK3A65DA(STA4,QM)
- ブランドToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
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価格:
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技術的な詳細
- シリーズ:π-MOSVII
- パッケージ:Tube
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:650 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:2.5A (Ta)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:10V
- rds on（max）@ id、vgs:2.51Ohm @ 1.3A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:4.4V @ 1mA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:11 nC @ 10 V
- vgs（最大）:±30V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:490 pF @ 25 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:35W (Tc)
- 作動温度:150°C (TJ)
- 取付タイプ:Through Hole
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220SIS
- パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
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