- 部品番号TK6A65D(STA4,Q,M)
- ブランドToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 3,563
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価格:
- 1$1.7242
- 50$1.26302
技術的な詳細
- シリーズ:π-MOSVII
- パッケージ:Tube
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:650 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:6A (Ta)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:10V
- rds on（max）@ id、vgs:1.11Ohm @ 3A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:4V @ 1mA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:20 nC @ 10 V
- vgs（最大）:±30V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:1050 pF @ 25 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:45W (Tc)
- 作動温度:150°C (TJ)
- 取付タイプ:Through Hole
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220SIS
- パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
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