- 部品番号TK6Q60W,S1VQ
- ブランドToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 3,075
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価格:
- 1$1.6088
- 75$1.6088
技術的な詳細
- シリーズ:DTMOSIV
- パッケージ:Tube
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:600 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:6.2A (Ta)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:10V
- rds on（max）@ id、vgs:820mOhm @ 3.1A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:3.7V @ 310µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:12 nC @ 10 V
- vgs（最大）:±30V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:390 pF @ 300 V
- fet機能:Super Junction
- 消費電力（最大）:60W (Tc)
- 作動温度:150°C (TJ)
- 取付タイプ:Through Hole
- サプライヤーデバイスパッケージ:I-PAK
- パッケージ/ケース:TO-251-3 Stub Leads, IPak
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