- 部品番号TK9J90E,S1E
- ブランドToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 554
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価格:
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技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Tube
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:900 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:9A (Ta)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:10V
- rds on（max）@ id、vgs:1.3Ohm @ 4.5A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:4V @ 900µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:46 nC @ 10 V
- vgs（最大）:±30V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:2000 pF @ 25 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:250W (Tc)
- 作動温度:150°C (TJ)
- 取付タイプ:Through Hole
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-3P(N)
- パッケージ/ケース:TO-3P-3, SC-65-3
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