- 部品番号TP65H300G4LSG
- ブランドTransphorm
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 240
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価格:
- 1$4.02
技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Tray
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:GaNFET (Gallium Nitride)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:650 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:6.5A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:8V
- rds on（max）@ id、vgs:312mOhm @ 5A, 8V
- vgs（th）（max）@ id:2.6V @ 500µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:9.6 nC @ 8 V
- vgs（最大）:±18V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:760 pF @ 400 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:21W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:3-PQFN (8x8)
- パッケージ/ケース:3-PowerDFN
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