- 部品番号TP65H480G4JSG-TR
- ブランドTransphorm
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 328
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価格:
- 1$3.7
技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:GaNFET (Gallium Nitride)
- ドレイン-ソース間電圧(vdss):650 V
- 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:3.6A (Tc)
- 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):8V
- rds on(max)@ id、vgs:560mOhm @ 3.4A, 8V
- vgs(th)(max)@ id:2.8V @ 500µA
- ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:8 V @ 8 nC
- vgs(最大):±18V
- 入力容量(ciss)(max)@ vds:400 V @ 760 pF
- fet機能:-
- 消費電力(最大):13.2W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:3-PQFN (5x6)
- パッケージ/ケース:3-SMD, Flat Lead
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