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技術的な詳細

  • シリーズ:U-MOSIII
  • パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 部品ステータス:Obsolete
  • fetタイプ:P-Channel
  • 技術:MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):20 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:2.7A (Ta)
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):1.8V, 4.5V
  • rds on(max)@ id、vgs:110mOhm @ 1.4A, 4.5V
  • vgs(th)(max)@ id:1.2V @ 200µA

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:6 nC @ 5 V
  • vgs(最大):±8V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:470 pF @ 10 V
  • fet機能:Schottky Diode (Isolated)
  • 消費電力(最大):330mW (Ta)
  • 作動温度:150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • サプライヤーデバイスパッケージ:VS-8 (2.9x1.5)
  • パッケージ/ケース:8-SMD, Flat Lead

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