- 部品番号TPD3215M
- ブランドTransphorm
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-アレイ
在庫あり: 22
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価格:
- 1$175.13
- 10$169.08962
技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Bulk
- 部品ステータス:Obsolete
- fetタイプ:2 N-Channel (Half Bridge)
- fet機能:GaNFET (Gallium Nitride)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:600V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:70A (Tc)
- rds on（max）@ id、vgs:34mOhm @ 30A, 8V
- vgs（th）（max）@ id:-
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:28nC @ 8V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:2260pF @ 100V
- パワー-最大:470W
- 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:Module
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
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