- 部品番号TPH3208LDG
- ブランドTransphorm
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 285
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価格:
- 1$10.81
- 10$9.729
- 60$8.8642
- 120$7.9994
- 300$7.3508
- 540$6.7022
- 1,020$6.0536
技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Tube
- 部品ステータス:Obsolete
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:GaNFET (Gallium Nitride)
- ドレイン-ソース間電圧(vdss):650 V
- 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:20A (Tc)
- 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):10V
- rds on(max)@ id、vgs:130mOhm @ 13A, 8V
- vgs(th)(max)@ id:2.6V @ 300µA
- ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:14 nC @ 8 V
- vgs(最大):±18V
- 入力容量(ciss)(max)@ vds:760 pF @ 400 V
- fet機能:-
- 消費電力(最大):96W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:3-PQFN (8x8)
- パッケージ/ケース:3-PowerDFN
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