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技術的な詳細

  • シリーズ:-
  • パッケージ:Tube
  • 部品ステータス:Last Time Buy
  • fetタイプ:N-Channel
  • 技術:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):650 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:20A (Tc)
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):10V
  • rds on(max)@ id、vgs:130mOhm @ 13A, 8V
  • vgs(th)(max)@ id:2.6V @ 300µA

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:14 nC @ 8 V
  • vgs(最大):±18V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:760 pF @ 400 V
  • fet機能:-
  • 消費電力(最大):96W (Tc)
  • 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Through Hole
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220AB
  • パッケージ/ケース:TO-220-3

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