技術的な詳細

• シリーズ:U-MOSVIII-H
• パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:200 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:7.2A (Ta)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:10V
• rds on（max）@ id、vgs:114mOhm @ 3.6A, 10V
• vgs（th）（max）@ id:4V @ 200µA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:7 nC @ 10 V
• vgs（最大）:±20V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:600 pF @ 100 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:700mW (Ta), 39W (Tc)
• 作動温度:150°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:8-TSON Advance (3.3x3.3)
• パッケージ/ケース:8-PowerVDFN