技術的な詳細

• シリーズ:-
• パッケージ:Bulk
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:P-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:15 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:1.6A (Ta)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:2.7V, 10V
• rds on（max）@ id、vgs:180mOhm @ 1.5A, 10V
• vgs（th）（max）@ id:1.5V @ 250µA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:5.45 nC @ 10 V
• vgs（最大）:+2V, -15V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:-
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:791mW (Ta)
• 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
• パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)